| 类型 | 描述 |
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| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | SOT-323/SC-70 |
| 类型 | 描述 |
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| 产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 20V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 15V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 25mA 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 5GHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 90 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 耗散功率PcPower Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| NPN 5 GHz wideband transistor FEATURES • High power gain • Gold metallization ensures excellent reliability • SOT323 (S-mini) package. APPLICATIONS It is designed for use in RF amplifiers, mixers and oscillators with signal frequencies up to 1 GHz. 描述与应用| 5 GHz的宽带晶体管NPN 特点 •高功率增益 •黄金金属确保卓越的可靠性 •SOT323（S-迷你）封装。 应用 它是专为在RF放大器中使用 混频器和振荡器信号 高达1 GHz的频率。
NXP（恩智浦）
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NXP（恩智浦）
BFR92 NPN三极管 20V 25mA 5GHz 90 SOT-23/SC-59 marking/标记 P1 射频宽带放大器
Infineon（英飞凌）
BFR92P NPN三极管 20V 30mA 5GHz 40~200 SOT-23/SC-59 marking/标记 GF 宽带放大器
NXP（恩智浦）
NXP BFR92A 晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 5 GHz, 300 mW, 25 mA, 90 hFE
NXP（恩智浦）
BFR92A,215 , NPN 射频双极晶体管, 0.025 A, Vce=15 V, HFE:40, 5000 MHz, 3针 SOT-23封装
NXP（恩智浦）
NXP BFR92AW,115 晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 5 GHz, 300 mW, 25 mA, 90 hFE
Infineon（英飞凌）
INFINEON BFR 92P E6327 晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 5 GHz, 280 mW, 45 mA, 100 hFE
NXP（恩智浦）
BFR92AW - NPN 5 GHz宽频带晶体管
Infineon（英飞凌）
INFINEON BFR92PE6327HTSA1 晶体管 双极-射频, NPN, 15 V, 5 GHz, 280 mW, 45 mA, 100 hFE
NXP（恩智浦）
BFR92AW NPN三极管 20V 25mA 5GHz 90 SOT-323/SC-70 marking/标记 P2 混频器和振荡器
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