BFG198 数据手册 - NXP（恩智浦）

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 20V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 10V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 100mA/0.1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 8Ghz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 40~90 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 耗散功率PcPower Dissipation | 700mW/0.7W Description & Applications | NPN 8 GHz wideband transistor DESCRIPTION NPN planar epitaxial transistor in a plastic SOT223 envelope, intended for wideband amplifier applications. The device features a high gain and excellent output voltage capabilities. 描述与应用 | NPN8 GHz的宽带晶体管 说明 NPN平面外延晶体管的 塑料SOT223信封，意 宽带放大器应用。 该器件具有高增益和 出色的输出电压能力。