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BF998E6327
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BF998E6327 技术参数、封装参数

BF998E6327 外形尺寸、物理参数、其它

BF998E6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
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BF998 数据手册

NXP(恩智浦)
NXP  BF998  晶体管, 射频FET, 12 V, 30 mA, 200 mW, SOT-143B
Siemens Semiconductor(西门子)
BF998 N沟道MOSFET 12V 30mA SOT-143 marking/标记 MO
Vishay Semiconductor(威世)
N沟道双栅MOS -场效应四极管,耗尽型 N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
NXP(恩智浦)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BF998E6327HTSA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 mA, 12 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BF 998 E6327  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 mA, 12 V
NXP(恩智浦)
MOSFET 晶体管,NXP semiconductors### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors
NXP(恩智浦)
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TAPE7 MOS-RFSS
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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