BF824 数据手册 - NXP（恩智浦）

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| −30V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −30V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −25mA 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 450MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 50 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| 耗散功率PcPoWer Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| PNP medium frequency transistor FEATURES • Low current (max. 25 mA) • Low voltage (max. 30 V). APPLICATIONS • RF stages in FM front-ends in common base configuration. 描述与应用| PNP中频晶体管 特点 •低电流（最大25毫安） •低电压（最大30 V）。 应用 •射频阶段的FM前端常见的基本配置。