| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 100 V |
| 额定电流 | 10.0 A |
| 封装 | TO-218 |
| 极性 | NPN |
| 功耗 | 125 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 100V |
| 集电极最大允许电流 | 10A |
ON Semiconductor（安森美）
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Bourns J.W. Miller（伯恩斯）
NPN硅功率DARLINGTONS NPN SILICON POWER DARLINGTONS
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR BDV65BG 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 125 W, 10 A, 1000 hFE
ON Semiconductor（安森美）
DARLINGTONS 10安培互补硅功率晶体管 DARLINGTONS 10 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
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NPN硅功率DARLINGTONS NPN SILICON POWER DARLINGTONS
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