类型 | 描述 |
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封装 | SOT-223 |
极性 | PNP |
击穿电压(集电极-发射极) | 45V |
集电极最大允许电流 | 3A |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| −45V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −45V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -3A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 85~475 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| −500mV/-0.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 3W Description & Applications| For AF driver and output stages High collector current High current gain Low collector-emitter saturation voltage Complementary types: BDP947, BDP949 (NPN) 描述与应用| 对于AF驱动器和输出级 高集电极电流 高电流增益 低集电极 - 发射极饱和电压 互补类型:BDP947 BDP949(NPN)
Infineon(英飞凌)
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