BCX51 数据手册 - NXP（恩智浦）

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | -45V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | −45V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | -1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 50MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 63~250 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | −500mV/-0.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation | 1.3W Description & Applications | PNP Silicon AF Transistors FEATURES • High current (max. 1 A) • Low voltage (max. 80 V). APPLICATIONS • Medium power general purposes • Driver stages of audio amplifiers. 描述与应用 | PNP硅晶体管自动对焦 特点 •高电流（最大1 A） •低电压（最大80 V）。 应用 •中等功率一般用途 •音频放大器驱动阶段。