| 类型 | 描述 |
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| 产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| −32V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −32V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −100mA/-0.1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 380~630 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| −250mV/-0.25V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| GENERAL PURPOSE TRANSISTOR FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 32 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification 描述与应用| PNP通用晶体管 特点 •低电流（最大100 mA） •低电压（最大32 V）。 应用 •通用开关和放大
Infineon（英飞凌）
BCW61 PNP三极管 -32V -100mA/-0.1A 250MHz 120~630 -200mV/-0.2V SOT-23/SC-59 marking/标记 SB1 驱动器
NXP（恩智浦）
NXP BCW61C,215 单晶体管 双极, PNP, -32 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 40 hFE
Infineon（英飞凌）
Infineon BCW61CE6327HTSA1 , PNP 双极晶体管, 100 mA, Vce=32 V, HFE:380, 250 MHz, 3引脚 SOT-23封装
NXP（恩智浦）
PNP 晶体管，NXP### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
NXP（恩智浦）
NXP BCW61D 晶体管 双极-射频, PNP, -32 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 630 hFE 新
Infineon（英飞凌）
PNP硅晶体管自动对焦 PNP Silicon AF Transistors
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