BCV48 数据手册 - NXP（恩智浦）

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -80V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-EmitterVoltage(VCEO)| -60V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -500mA/-0.5A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 220MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 10000 @ -5V,-0.1A 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -1V 耗散功率PcPower Dissipation| 1.3W Description & Applications| • Very high DC current gain (min. 10000) • High current (max. 500 mA) • Low voltage (max. 60 V). • Where very high amplification is required. • PNP Darlington transistor in a SOT89 plast. • NPN complements:BCV49. 描述与应用| •极高的直流电流增益（最低10000） •高电流（最大500毫安） •低电压（最大60 V）。 •非常高的放大是必需的。 •PNP达林顿晶体管在SOT89 PLAST。 •NPN补充BCV49。