| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -30.0 V |
| 额定电流 | -1.20 A |
| 封装 | SOT-23 |
| 极性 | PNP, P-Channel |
| 功耗 | 350 mW |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 30.0 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Cut Tape (CT) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-EmitterVoltage(VCEO)| -30V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -1.2A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 220MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 20000 @ -5V,-0.1A 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -1V 耗散功率PcPower Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| • PNP Darlington Transistor • Designed for applications requiring extremely high current gain at currents to 800 mA. • Discrete POWER & Signal Technologies 描述与应用| • PNP达林顿晶体管 • 为需要电流增益可达到800mA而设计 • 分立功率与信号技术
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