| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | -20.0 V |
| 额定电流 | -1.00 A |
| 封装 | SOT-223/TO-261AA |
| 极性 | PNP |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 20V |
| 集电极最大允许电流 | 1A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
| 包装方式 | Reel |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| −25V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −20V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| -1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 60MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 85~375 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| −500mV/-0.5V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 1.5W Description & Applications| PNP Silicon Epitaxial Transistor Features • High Current: IC = −1.0 A • The SOT−223 Package can be soldered using wave or reflow. • SOT−223 package ensures level mounting, resulting in improved thermal conduction, and allows visual inspection of soldered joints. The formed leads absorb thermal stress during soldering, eliminating the possibility of damage to the die. • NPN Complement is BCP68 • Pb−Free Package is Available 描述与应用| PNP硅外延晶体管 特点 •高电流：IC=-1.0 A •SOT-223包装可以使用波或回流焊接。 •SOT-223包装保证水平安装，从而提高热传导，并允许目视检查焊点。所形成的线索在焊接热应力吸收，消除模具损坏的可能性。 •NPN补BCP68 •无铅包装是可用
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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NXP（恩智浦）
BCP69 PNP三极管 -32V -1A 40MHz 85~375 -500mV/-0.5V SOT-223/TO-261AA marking/标记 BCP69 开关/放大
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BCP69 单晶体管 双极, PNP, -20 V, 1 W, -1.5 A, 50 hFE
Infineon（英飞凌）
PNP硅晶体管自动对焦 PNP Silicon AF Transistor
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR BCP69T1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -20 V, 60 MHz, 1.5 W, -1 A, 375 hFE
NXP（恩智浦）
NXP BCP69-16,115 单晶体管 双极, PNP, -20 V, 140 MHz, 625 mW, -1 A, 100 hFE
NXP（恩智浦）
NXP BCP69,115 单晶体管 双极, PNP, -20 V, 140 MHz, 650 mW, -2 A, 85 hFE
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