| 类型 | 描述 |
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| 产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| −30V
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●集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −30V
●集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −100mA/-0.1A
●截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100MHz
●直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 420~800
●管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -250mV/-0.25V
●耗散功率PcPoWer Dissipation| 200mW/0.2W
●Description & Applications| PNP general purpose transistors FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 65 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification.
●描述与应用| PNP通用晶体管 特点 •低电流（最大100 mA） •低电压（最大65 V）。 应用 •通用开关和放大。
NXP（恩智浦）
10 页 / 0.15 MByte
NXP（恩智浦）
43 页 / 0.72 MByte
NXP（恩智浦）
10 页 / 0.16 MByte
NXP（恩智浦）
BC858 PNP三极管 -30V -100mA/-0.1A 100MHz 125~800 -250mV/-0.25V SOT-23/SC-59 marking/标记 3M 开关/放大
Vishay Semiconductor（威世）
小信号晶体管（ PNP ） Small Signal Transistors (PNP)
Fairchild（飞兆/仙童）
开关和放大器应用 Switching and Amplifier Applications
ON Semiconductor（安森美）
通用晶体管（ PNP硅） General Purpose Transistors(PNP Silicon)
ON Semiconductor（安森美）
PNP 晶体管，ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
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