| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | -45.0 V |
| 额定电流 | -100 mA |
| 封装 | SOT-363 |
| 极性 | Dual P-Channel |
| 击穿电压(集电极-发射极) | -45.0 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.1A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
| 包装方式 | Tape |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
●Collector-Base Voltage(VCBO) | -50V
●\---|---
●集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
●Collector-Emitter Voltage(VCEO) | -45V
●集电极连续输出电流IC
●Collector Current(IC) | -100MA/-0.1A
●截止频率fT
●Transtion Frequency(fT) | 100MHZ
●直流电流增益hFE
●DC Current Gain(hFE) | 220~475
●管压降VCE（sat）
●Collector-Emitter Saturation Voltage | 0.65V
●耗散功率Pc
●Power Dissipation | 380MW/0.38W
●描述与应用
●Description & Applications | 双PNP
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR BC857BDW1T1G 双极晶体管阵列, 通用, PNP, -45 V, 380 mW, 100 mA, 150 hFE, SOT-363
ON Semiconductor（安森美）
双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors
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