类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
封装 | SOT-323/SC-70 |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 30V
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●集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 30V
●集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 100mA/0.1A
●截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100MHz
●直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 110~800
●管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 200~600 mV
●耗散功率PcPower Dissipation| 200mW/0.2W
●Description & Applications| Features General-purpose transistors SMD plastic packages Applications General-purpose switching and amplification
●描述与应用| 特点 通用晶体管 SMD塑料封装 应用 通用的开关和放大
NXP(恩智浦)
12 页 / 0.12 MByte
NXP(恩智浦)
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NXP(恩智浦)
bc848 NPN三极管 30V 100mA/0.1A 100MHz 200~450 200~600 mV SOT-23/SC-59 marking/标记 1M 通用开关和放大
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 30V 1MA
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR BC848ALT1G 单晶体管 双极, NPN, 30 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 110 hFE
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR BC848CWT1G 新
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR BC848BLT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 30 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 200 hFE
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