集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| 50V/-50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| 45V/-45V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| 100mA/-100mA 截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 250MHz 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| 200~450 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage| 200mV 耗散功率Pc Power Dissipation| 250mW Description & Applications| Features • NPN/PNP Silicon AF Transistor Arrays • For AF input stage and driver applications • High current gain • Low collector-emitter saturation voltage • Two (galvanic) internal isolated NPN/PNP transistor in one package • Pb-free (RoHS compliant) package1) • Qualified according AEC Q101 描述与应用| 特点 •NPN / PNP硅AF晶体管阵列 •对于AF输入级和驱动器应用 •高电流增益 •低集电极 - 发射极饱和电压 •两个（电流）的内部分离NPN/ PNP晶体管在一个包 •无铅（符合RoHS）包1） •符合AEC Q101
Infineon（英飞凌）
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CJ（长电科技）
NPN,Vceo=45V,Ic=0.1A,hfe=110~220,丝印1E
Fairchild（飞兆/仙童）
BC847 NPN三极管 50V 100mA/0.1A 300MHz 110~800 200~600 mV SOT-23/SC-59 marking/标记 1F 通用开关和放大
NXP（恩智浦）
NPN通用晶体管 NPN general purpose transistors
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR BC847CLT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 100 hFE
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BC847S 双极晶体管阵列, NPN, 45 V, 300 mW, 200 mA, 110 hFE, SC-70
Infineon（英飞凌）
小信号 NPN 晶体管，Infineon### 双极晶体管，Infineon
Nexperia USA
双 NPN/PNP 晶体管，Nexperia### 双极晶体管，Nexperia
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