| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | SOT-363 |
| 极性 | NPN+PNP |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 65V |
| 集电极最大允许电流 | 0.1A |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)| 80V/-80V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)| 65V/-65V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)| 100mA/-100mA 截止频率fT Transtion Frequency(fT)| 250MHz 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)| 200~450 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage| 200mV 耗散功率Pc Power Dissipation| 250mW Description & Applications| Features • NPN/PNP Silicon AF Transistor Arrays • For AF input stage and driver applications • High current gain • Low collector-emitter saturation voltage • Two (galvanic) internal isolated NPN/PNP transistor in one package • Pb-free (RoHS compliant) package1) • Qualified according AEC Q101 描述与应用| 特点 •NPN / PNP硅AF晶体管阵列 •对于AF输入级和驱动器应用 •高电流增益 •低集电极 - 发射极饱和电压 •两个（电流）的内部分离NPN/ PNP晶体管在一个包 •无铅（符合RoHS）包1） •符合AEC Q101
Infineon（英飞凌）
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Multicomp
MULTICOMP BC846 单晶体管 双极, NPN, 65 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 110 hFE
NXP（恩智浦）
BC846 NPN三极管 80V 100mA/0.1A 100MHz 110~450 200~600 mV SOT-23/SC-59 marking/标记 1DW 通用开关和放大
KEC(Korea Electronics)（KEC株式会社）
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR BC846BLT1G. 单晶体管 双极, 通用, NPN, 65 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 290 hFE
ON Semiconductor（安森美）
NPN 晶体管，ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
NXP（恩智浦）
NPN通用晶体管 NPN general purpose transistors
NXP（恩智浦）
NXP BC846BS 单晶体管 双极, NPN, 65 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 200 hFE
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