类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
封装 | SOT-163/SC-74/SOT457/SOT23-6 |
极性 | NPN+PNP |
击穿电压(集电极-发射极) | 45V |
集电极最大允许电流 | 0.5A |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | 50V/-50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 45V/-45V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | 500mA/-500mA 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 100MHz/80MHz 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 160~400 管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage | 700mV 耗散功率Pc Power Dissipation | 600mW Description & Applications | Features • NPN/PNP general purpose double transistor • High current (500 mA) • 600 mW total power dissipation • Replaces two SOT23 packaged transistors on same PCB area. APPLICATIONS • General purpose switching and amplification • Complementary driver • Half and full bridge driver. 描述与应用 | 特点 •NPN/ PNP通用双晶体管 •高电流(500毫安) •600 mW的总功耗 •替换两个SOT23封装的晶体管相同的PCB面积。 应用 •通用开关和放大 •互补驱动器 •半桥和全桥驱动器
NXP(恩智浦)
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NXP(恩智浦)
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Multicomp
MULTICOMP BC817 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 170 MHz, 300 mW, 500 mA, 100 hFE
KEC(Korea Electronics)(KEC株式会社)
NXP(恩智浦)
NXP BC817-40 单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 250 mW, 500 mA, 250 hFE
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR BC817-16LT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 300 mW, 500 mA, 100 hFE
Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC. BC817-25 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 310 mW, 500 mA, 400 hFE
Nexperia USA
Nexperia BC817-25,215 , NPN 晶体管, 500 mA, Vce=45 V, HFE:40, 100 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR BC817-40LT1G. 双极晶体管
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