| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-23/SC-59 |
| 极性 | P-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 20V |
| 连续漏极电流(Ids) | 4A |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流IdDrain Current| -4A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.035Ω @-4A,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.3--1V 耗散功率PdPower Dissipation| 1.4W Description & Applications| Features VDS (V) = -20V ID = -4 A RDS(ON) < 43mΩ (VGS = -4.5V) RDS(ON) < 54mΩ (VGS = -2.5V) RDS(ON) < 73mΩ (VGS = -1.8V) ESD Rating: 3000V HBM 描述与应用| VDS（V）=-20V ID=-4 A RDS（ON） <43MΩ（VGS=-4.5V） RDS（ON） <54MΩ（VGS=-2.5V） RDS（ON） <73mΩ（VGS=-1.8V） ESD额定值：3000V HBM
Alpha & Omega Semiconductor（万代半导体）
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