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ADG636YRUZ
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ADG636YRUZ 技术参数、封装参数

ADG636YRUZ 外形尺寸、物理参数、其它

ADG636YRUZ 数据手册

ADI(亚德诺)
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ADG636 数据手册

ADI(亚德诺)
1 pC的电荷注入, 100 pA的泄漏CMOS 5V / + 5V / + 3 V双通道单刀双掷开关 1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage CMOS 5 V/+5 V/+3 V Dual SPDT Switch
ADI(亚德诺)
ANALOG DEVICES  ADG636YRUZ  模拟开关, 双通道, SPDT, 2 放大器, 115 ohm, ± 2.7V 至 ± 5.5V, TSSOP, 14 引脚
ADI(亚德诺)
模拟开关 IC 2:1 400MHz 2.2 Ohm CMOS Dual SPDT
ADI(亚德诺)
1 pC的电荷注入, 100 pA的泄漏, CMOS , ±5 V / 5 V / 3 V双通道单刀双掷开关 1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS, ±5 V/5 V/3 V Dual SPDT Switch
ADI(亚德诺)
1 pC的电荷注入, 100 pA的泄漏CMOS 5V / + 5V / + 3 V双通道单刀双掷开关 1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage CMOS 5 V/+5 V/+3 V Dual SPDT Switch
ADI(亚德诺)
1 pC的电荷注入, 100 pA的泄漏, CMOS , ±5 V / 5 V / 3 V双通道单刀双掷开关 1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS, ±5 V/5 V/3 V Dual SPDT Switch
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