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2SK3018T106
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2SK3018T106 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
分类:MOS管
封装:SOT-323
描述:ROHM  2SK3018T106  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 30 V, 8 ohm, 4 V, 1.5 V
PDF文件:2SK3018T106 数据手册 (4 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

2SK3018T106 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)30.0 V
额定电流100 mA
封装SOT-323
漏源极电阻7.00 Ω
极性N-Channel
功耗200 mW
漏源极电压(Vds)30.0 V
漏源击穿电压30.0 V
连续漏极电流(Ids)100 mA
上升时间35.0 ns
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2SK3018T106 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Cut Tape (CT)
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2SK3018T106 数据手册

2SK3018T106 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
4 页 / 0.07 MByte
2SK3018T106 其他数据使用手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
0.31 MByte
2SK3018T106 其他参考文件
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
1 页 / 0.14 MByte

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2SK3018 N沟道MOSFET 30V 100mA/0.1A SOT-323/SC-70/UMT3 marking/标记 KN 低导通电阻/高速度开关/低电压驱动
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CJ（长电科技）
N沟道,30V,0.1A,8Ω@4V
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