| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-89/SC-62/MPT3 |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 60V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2A |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 2A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.3Ω/Ohm @1A,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1-2.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| Small switching (60V, 2A) Silicon N-channel MOSFET Features Silicon N-channel MOSFET Low on-resistance Fast switching speed Wide SOA (safe operating area) Low-voltage drive (4V) Easily designed drive circuits Easy to parallel 描述与应用| 小开关（60V，2A） 硅N沟道MOSFET 特性 硅N沟道MOSFET 低导通电阻 开关速度快 宽SOA（安全工作区） 低电压驱动（4V） 容易驱动电路设计 易于并行
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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