| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 160 V |
| 额定电流 | 1.50 A |
| 封装 | CPT |
| 极性 | N-Channel, NPN |
| 功耗 | 1.00 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 160V |
| 集电极最大允许电流 | 1.5A |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 160V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 160V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 1.5A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 80MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 120~390 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 2V 耗散功率PcPower Dissipation| 1W Description & Applications| Power Transistor Features
● High breakdown voltage.(BVCEO = 160V)
● Low collector output capacitance. (Typ. 20pF at VCB = 10V)
● High transition frequency.(fT = 80MHZ)
● Complements the 2SB1275 / 2SB1236A. 描述与应用| 功率晶体管 特点
●高击穿电压（BVCEO=160V）。
●低集电极输出电容。 （典型值20pF的VCB=10V）
●高转换频率（FT =80MHZ）。
●补充2SB1275/2SB1236A的。
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
功率晶体管（ 160V ， 1.5A ） Power Transistor (160V , 1.5A)
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
2SD1918TLQ NPN三极管 160V 1.5A 80MHz 120~390 2V TO-252/CPT3 marking/标记 D1918 功率晶体管
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