集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 100V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 100V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 700mA/0.7A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 90MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 200~400 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 300mV/0.3V 耗散功率PcPower Dissipation| 2W Description & Applications| Silicon NPN epitaxial transistors description 2SD1007 is designed for audio frequency power amplifier application , especially in hybrid integrated circuits Features
● high collector to emitter voltage
● world standard miniature package 描述与应用| NPN硅外延晶体管 描述 2SD1007是专为音频功放中的应用， 特别是在混合集成电路 特点
●高集电极到发射极电压
●世界标准的微型封装
NEC（日本电气）
4 页 / 0.21 MByte
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
