集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 50V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 100mA/0.1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 250MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 200~400 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 150mV/0.15V 耗散功率PcPower Dissipation | 200mW/0.2W Description & Applications | Features • NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR • High DC current gain: hFE2 = 200 TYP. • High voltage: VCEO = 50 V 描述与应用 | 特点 •NPN硅外延晶体管 •高直流电流增益：HFE2=200 TYP。 •高电压：VCEO= 50 V
NEC（日本电气）
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