最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 240V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 40V 最大漏极电流Id Drain Current | 0.045A 源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State | 45Ω 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 耗散功率Pd Power dissipation | 0.2W 描述与应用 Description & Applications | n沟道增强型金属氧化物半导体晶体管
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