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1N6294A
来自 AiPCBA

1N6294A 技术参数、封装参数

1N6294A 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.06 MByte
ON Semiconductor(安森美)
22 页 / 0.07 MByte

1N6294 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
的TransZorb ™瞬态电压抑制器 TRANSZORB⑩ TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
Microsemi(美高森美)
瞬态吸收齐纳 TRANSIENT ABSORPTION ZENER
Comchip Technology(上华科技)
ON Semiconductor(安森美)
1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器(单向)Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率:1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B,用于隔离回路保护 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
Littelfuse(力特)
1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器(单向)Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率:1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于 10V UL 497B,用于隔离回路保护 响应时间通常为 < 1ns### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
ON Semiconductor(安森美)
1500瓦Mosorb TM齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors
ON Semiconductor(安森美)
1500瓦MosorbE齐纳瞬态电压瞬态电压 1500 Watt MosorbE Zener Transient Voltage Transient Voltage
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