| 类型 | 描述 |
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| 安装方式 | Axial |
| 封装 | DO-201AD, Axial |
| 类型 | 描述 |
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| 产品生命周期 | Not Listed by Manufacturer |
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
31 页 / 0.08 MByte
Microsemi（美高森美）
瞬态吸收齐纳 TRANSIENT ABSORPTION ZENER
Vishay Semiconductor（威世）
的TransZorb瞬态电压抑制器 TRANSZORB Transient Voltage Suppressors
ON Semiconductor（安森美）
1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器（单向）Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率：1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B，用于隔离回路保护 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR 1N6282AG TVS二极管, TVS, MOSORB系列, 单向, 25.6 V, 41.4 V, 轴向引线, 2 引脚
Vishay Semiconductor（威世）
TRANSZORB® 瞬态电压抑制器轴向单向 1500W，Vishay Semiconductor### 瞬态电压抑制器，Vishay Semiconductor
ON Semiconductor（安森美）
1500瓦MosorbE齐纳瞬态电压瞬态电压 1500 Watt MosorbE Zener Transient Voltage Transient Voltage
Littelfuse（力特）
1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器（单向）Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率：1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于 10V UL 497B，用于隔离回路保护 响应时间通常为 < 1ns### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
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