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1N6267A
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1N6267A 技术参数、封装参数

1N6267A 外形尺寸、物理参数、其它

1N6267A 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.06 MByte
ON Semiconductor(安森美)
22 页 / 0.07 MByte

1N6267 数据手册

Microsemi(美高森美)
单向和双向瞬态电压抑制器 Unidirectional & Bidirectional Transient Voltage Suppressors
Vishay Semiconductor(威世)
的TransZorb瞬态电压抑制器 TRANSZORB Transient Voltage Suppressors
Comchip Technology(上华科技)
Littelfuse(力特)
1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器(单向)Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率:1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于 10V UL 497B,用于隔离回路保护 响应时间通常为 < 1ns### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  1N6267AG  TVS二极管, TVS, MOSORB系列, 单向, 5.8 V, 10.5 V, 轴向引线, 2 引脚
ON Semiconductor(安森美)
1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器(单向)Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率:1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B,用于隔离回路保护 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
Vishay Semiconductor(威世)
ON Semiconductor(安森美)
1500瓦MosorbE齐纳瞬态电压瞬态电压 1500 Watt MosorbE Zener Transient Voltage Transient Voltage
Vishay Semiconductor(威世)
ESD 抑制器/TVS 二极管 1500W 6.8V Unidirect
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