| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Axial |
| 引脚数 | 2 Pin |
| 封装 | Case 41A-02 |
| 无卤素状态 | Halogen Free |
| 击穿电压 | 6.00 V |
| 功耗 | 5.00 W |
| 最大反向电压(Vrrm) | 5V |
| 脉冲峰值功率 | 1500W |
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
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ST Microelectronics（意法半导体）
1N5908 系列 1500 W 6 V 单向 瞬态电压抑制器 - DO-201
ON Semiconductor（安森美）
1500瓦Mosorb TM齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors
Microsemi（美高森美）
瞬态吸收齐纳UNIDIRECTLOANL和双向 TRANSIENT ABSORPTION ZENER UNIDIRECTLOANL AND BIDIRECTIONAL
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR 1N5908G TVS二极管, TVS, MOSORB系列, 单向, 5 V, 8.5 V, 轴向引线, 2 引脚
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR 1N5908RL4G TVS二极管, TVS, MOSORB系列, 单向, 5 V, 8.5 V, DO-204AL, 2 引脚
ON Semiconductor（安森美）
1500瓦Mosorb TM齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Mosorb TM Zener Transient Voltage Suppressors
Littelfuse（力特）
1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器（单向）Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率：1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于 10V UL 497B，用于隔离回路保护 响应时间通常为 < 1ns### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
Littelfuse（力特）
1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器（单向）Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率：1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于 10V UL 497B，用于隔离回路保护 响应时间通常为 < 1ns### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
ST Microelectronics（意法半导体）
ESD 抑制器/TVS 二极管 1500W 5.0V Unidirect
Microsemi（美高森美）
单向和双向瞬态电压抑制器 Unidirectional & Bidirectional Transient Voltage Suppressors
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