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VNP35N07 数据手册

型号系列:VNP35N07 系列
分类:MOS管
描述:STMICROELECTRONICS  VNP35N07-E  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 80 V, 28 mohm, 10 V, 3 V
文档:VNP35N07-E 数据手册 (2 )

VNP35N07 MOS管 数据手册

#1
VNP35N07-E
2.0
ST Microelectronics(意法半导体)

VNP35N07-E - ST Microelectronics(意法半导体) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
漏源极电阻
28.0 mΩ
极性
N-Channel
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VNP35N07-E - ST Microelectronics(意法半导体) 概述

OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET,STMicroelectronics
OMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器,根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载,尤其是汽车环境。
线性电流限制
热关闭
短路保护
ESD 保护
一体式夹
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